近日英特尔公布了最新微架构的细节，该微架构使用英特尔业界领先的14纳米制程工艺进行了优化。新的微架构和14纳米制程技术相结合，将以高性能、低功耗的特性支持一系列计算需求和产品，涵盖了从云计算和物联网基础设施，到个人及移动计算。

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  英特尔披露了英特尔酷睿M处理器的微架构细节，这是利用英特尔14纳米技术制造的第一款产品。新的微架构和制程的结合将带来新一轮外观和体验上的创新，产品会更加轻薄、噪音更低。相比上一代处理器，英特尔架构师和芯片设计师优化了散热设计，将散热量降低了两倍多，在同样的性能下达到更长的电池续航时间。

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  第一批产品年底上市

  新的微架构进行了优化，可以充分利用14纳米制程的新功能。英特尔已经交付并量产世界首款14纳米处理器。它使用第二代三栅极(FinFET)晶体管，具有业内领先的性能、功耗、密度和每晶体管成本。英特尔的14纳米技术将用来制造从高性能到低功耗的各种产品，包括服务器、个人计算设备和物联网设备。第一批采用英特尔酷睿M处理器的产品将在节日季上架销售，在2015年上半年将有更广泛的OEM产品上市。更多基于Broadwell微架构和14纳米制程技术的产品将在未来几个月推出。

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  我们可以确定的是酷睿M已经投入量产并出货给厂商，将随同各种设备在今年年底发布，正好赶上假期购物季。之所以首发仅提供这一个子系列，Intel的主要考虑是利用自己先进的工艺和技术，在低功耗移动市场争取有所作为，打造无风扇的轻薄笔记本、二合一设备、平板机，反击ARM。

  处理器架构进行了微调

  但是本次公布的只是一些比较浅的初步资料，底层架构要到九月份的IDF大会上才会透露，具体的产品型号、规格更得继续等。

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  最左侧、最小巧的就是Broadwell-Y酷睿M，中间也是Broadwell，不过是ULT/ULX低压版本，右侧则是Haswell ULT/ULX。三者都是双Die整合封装。

  2006年进入酷睿时代之后，Intel就坚持每年交替升级CPU架构和制造工艺，也就是广为熟知的Tick-Tock。Broadwell属于其中的Tick，也就是工艺升级、架构基本不变，明年的Skylake则是另一次Tock，工艺不变，架构革新。从这个角度上就可以知道，Broadwell CPU架构其实没什么好说的，也就是一些微调。

  Intel透露说，Broadwell IPC会比Haswell提升大约5%，很类似Ivy Bridge 4-6%，当然了这是理论上的同频对比情况，实际表现还取决于频率变化、不同的应用环境。

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  架构方面其实也有增强，首先就是更大的调度器和缓冲，可以更好地满足CPU核心需要。举例来说，乱序调度窗口增大了，可以记录更多指令，进而改进IPC。同时，L2 TLB入口也从1K提高到了1.5K，从而减少寻址转换失误。TLB的功能也得到了扩展，都有利于改进性能。

  核芯显卡性能再次提升

  Haswell-Y的核显是GT2，是单独一个区块(Slice)，又可细分为两个子区块(Sub-Slice)，后者是Intel核显最小的功能性单元，包括10个执行单元(着色器)、缓存、纹理/数据/媒体采样器等。

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  Broadwell-Y将每个子区块里的执行单元减少到了8个，但是每个区块由三个子区块组成，也就是总计24个执行单元，比上代增加了20%。但影响并不是这么简单，相关的一级缓存、采样器也增加了。每个执行单元的采样器增加了25%，因此同频下的采样输出能力提升了50%。

  英特尔追求能耗比

  英特尔表示，酷睿M相比于四年前的第一代32nm处理器，CPU、GPU性能分别提升了2倍、7倍，功耗却只有四分之一，电池体积减半的同时续航时间翻番，带动相关移动设备厚度从26毫米降至7.2毫米。Intel相信，酷睿M让他们真正拥有了在移动市场大展拳脚的终极武器。

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  英特尔副总裁兼产品开发总经理Rani Borkar表示：“我们的设计专长与最佳制程相结合为英特尔的集成模式，这使得我们能够向客户和消费者提供更好的性能和更低的功耗。新的微架构不只是卓越的技术成就，它也体现了我们由外到内的设计理念的重要性，让我们的设计更契合客户的需求。”

  英特尔技术与制造事业部高级院士兼制程架构与集成总监Mark Bohr表示：“英特尔14纳米技术采用了第二代三栅极晶体管，提供业界领先的性能、功耗、密度和每晶体管成本。英特尔对摩尔定律的投资和承诺是我们团队能够实现这些新制程的核心所在。”

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